-- GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 다이아몬드 등 대상
-- 다른 연구원에게도 논문 제출 요청
(베이징 2018년 6월 19일 PRNewswire=연합뉴스) 다음 달 9~12일에 열리는 APCSCRM 회의가 아시아태평양 지역의 유명 전문가를 초청해 와이드 밴드갭 반도체 소재 성장, 장치 준비와 포장 및 장치 모듈 애플리케이션 분야에서 아이디어와 기술 학습 및 교류를 도모하기로 했다.
회의에 초청된 일부 전문가를 간략하게 소개하면 다음과 같다.
번호 | 이름 | 보고서 제목
1 | Manabu ARAI (New JRC, 일본) | 와이드 밴드갭 반도체 장치에 대한 포괄적인 검토
2 | Hsien-Chin CHIU (Chang Gung 대학, 대만) | 6인치 실리콘 개반 GaN 전력과 마이크로파 장치의 포장 및 모듈 개발
3 | Andy CHUANG (Episil Technologies Inc., 대만) | Episil에서 SiC 주조 공장 도입
4 | Yasuto HIJIKATA (사이타마 대학, 일본) | Si와 C 배출 모델을 기반으로 하는 SiC 열산화 과정의 거시적 시뮬레이션
5 | Noriyuki IWAMURO (쓰쿠바 대학, 일본) | SiC MOSFET 장치의 최근 발전
6 | Guoyou LIU (Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd., 중국) | 전철에서 SiC 장치의 응용 전망
7 | Hideharu MATSUURA (오사카 전기통신대학, 일본) | 홀 효과 측정을 이용하는 와이드 밴드갭 반도체의 전기적 묘사
8 | Tokuyasu MIZUHARA (ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd., 일본) | 전력 장치(SiC)의 시장 응용 ~ SiC 전력 장치의 특징과 응용
9 | Yufeng QIU (Global Energy Internet Institute, 중국) | 미래 전력 그리드에 SiC 장치 적용
10 | Guosheng SUN (Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co. Ltd., Institute of Semiconductors, CAS, 중국) | 4H-SiC에서 삼각형 결함의 구조와 기원 검토
11 | Xuhui WEN (Institute of Electrical Engineering, CAS, 중국) | 전기 차량 응용에서 초고전력밀도 SiC 인버터에 대한 기술 접근
12 | Q. Jon ZHANG (노스캐롤라이나 주립대학, 미국) | 와이드 밴드갭 반도체 장치와 응용의 현황과 미래 전망
또한, 이 회의는 국내외 대학, 연구소, 기업 및 기관에서 반도체 소재, 장치 및 응용 분야의 와이드 밴드갭을 다루는 전문가와 기술직원의 원고 제출도 장려하고 있다.
제출 방법:
1. APCSCRM 웹사이트를 통해 원고를 제출한다.
(제출 방법은 http://www.apcscrm2018.iawbs.com, submission 참조)
2. 초록 제출 마감: 2018년 6월 30일
3. 전체 논문 제출 마감: 2018년 7월 31일
4. 논문 상태 점검에 유의하도록 한다(APCSCRM 온라인 제출 시스템)
출처: Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology
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